Ek 2022 05

12+ 5/2022 (c. 6) (c. 25) (c. 74) 3-й источник Новинки технологий Термоциклирование 100-, 750- Особенности измерения и вибрации, а также и 1200-В Si MOSFET, шумов и искажений Вх. интермод. иск. Вых. интермод. иск. другие испытания SiC FET и GaN FET в... More

12+ 5/2022 (c. 6) (c. 25) (c. 74) 3-й источник Новинки технологий Термоциклирование 100-, 750- Особенности измерения и вибрации, а также и 1200-В Si MOSFET, шумов и искажений Вх. интермод. иск. Вых. интермод. иск. другие испытания SiC FET и GaN FET в радиочастотных плат методами от мировых схемах HALT и HASS лидеров Less