Transistor de Unión Bipolar
BJT
Es un dispositivo semiconductor de tres capas ya sea de dos capas
de material tipo “n” y una tipo “p”, o bien de dos capas de material
tipo “p” y una tipo “n”.
La capa del emisor se fuertemente dopada
La base ligeramente...
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Transistor de Unión Bipolar
BJT
Es un dispositivo semiconductor de tres capas ya sea de dos capas
de material tipo “n” y una tipo “p”, o bien de dos capas de material
tipo “p” y una tipo “n”.
La capa del emisor se fuertemente dopada
La base ligeramente dopada
El colector muy poco dopada.
Las capas exteriores tienen espesores mucho mayores de la del
centro 150:1.
El dopado de la capa central es también mucho menor que las
capas exteriores
Este bajo nivel de dopado disminuye la conductividad de este
material al limitar el numero de portadores
La abreviatura BJT, de Transistor Bipolar de Unión, suele
aplicarse a este dispositivo de tres terminales.
El termino bipolar se refiere al hecho de que tanto huecos como
electrones participan en el proceso de conducción.
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